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價格:電議
所在地:北京
型號:VT02
更新時間:2023-05-19
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公司地址:北京市石景山區萬達廣場D座1015室
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舒小姐(女士) 經理
北京華恒鑫達科技發展有限公司是一家專業從事引進國外核物理和高能物理研究以及核工業和核監測領域所需元器件和設備的公司。
器件產品:塑料閃爍體、液體閃爍體及附件產品、有機、無機晶體及晶體粉末、光電倍增管(PMT)、硅微條探測器、微通道板(MCP及APD)、飛行時間探測器(TOF)、電子發生器(EGA)、電子倍增器(CEM)、像增強器(IIT)、中子和伽馬探測器(NGD)、氣體探測器、He3管、BF3探測器、硅光電倍增管、硅PIN探測器、硅漂移探測器、電荷靈敏前置放大器、硅條/中子探測器的前置放大器等;高純鍺(HPGe)探測器、硅鋰(SiLi)探測器、碲鋅鎘(GdZnTe)探測器、多道分析器、核電子學機箱和插件等一系列核物理領域研究和生產相關的產品。
設備產品:環境輻射監測系統(RMS),環境γ劑量率與氣溶膠監測儀,實驗室高純鍺γ譜儀,低本底α β測量儀及表面污染測量儀、熱釋光劑量讀出系統與多種移動物體放射性安檢設備;各類便攜與事故應急多探頭劑量率與核素識別儀、高純鍺γ譜儀、巡檢儀和個人劑量報警儀等。
400nm RADFET in Eight Lead Ceramic Side Braze Package
For doses between 1 cGy (1 rad) and 1 kGy (100 krad)
RADFET is a discrete p-channel MOSFET
optimized for radiation sensitivity. RADFETs are sensitive to io
The VT02 is used by organisations such as the European Space Agency and a number of other space agencies across the globe. The VT02 is hermetically sealed and slightly larger than the plastic version.
The critical region of the RADFET is its
gate oxide. Through generation and trapping of radiation-induced charges in the
gate oxide, radiation exposure changes the output voltage of the RADFET and
this change is related to the radiation dose. The RADFET respo
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