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2016款 橢圓偏振測厚儀

河北慧采科技有限公司
會員指數: 企業認證:         

價格:電議

所在地:河北 邢臺市

型號:2016款

更新時間:2017-07-02

瀏覽次數:3397

公司地址:河北省邢臺市橋東區唐寧10號

牛(先生) 銷售經理 

產品簡介

徐州橢圓偏振測厚儀和激光橢偏儀和上門服務橢圓偏振測厚儀

公司簡介

河北潤創科技開發有限公司是一家致力于儀器儀表設備的大型企業,解決您東拼西湊的煩惱,為您打造一站式采購平臺,
更可靠,更實惠,更安全,更放心。
  我們擁有強大的科研研發人員,及完善的售后服務體系。奉行“誠信、務實、開拓、創新”的企業信念,在客戶中樹立了
良好的口碑,迎得了許多的贊譽。
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的產品備件,滿足用戶隨時的維護和維修需求。
  我廠生產的各種產品具有鑄造,加工、組裝,一次性完成的能力,保證每臺出廠產品的質量,擁有大型機加車間、機加設
備及配套的相關技術工人,可根據用戶的需要,為用戶設計各種專用設備,可以滿足,建筑,鐵道,水電,交通,礦山等單位
不同工程實際情況;除此外,我廠擁有一支具備專業能力的隊伍,可以對外承攬技術咨詢服務。
  我們竭誠歡迎全國各界朋友、專家和領導來我廠洽談業務,光臨指導。我們將以一流的產品,一流的服務,十分的誠意和
熱情,一流的信譽及對用戶高度負責的精神,完成每一件產品,每一道工序。
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產品說明

產品簡介: ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在線薄膜測量系統。 ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進行在線檢測??蓽y量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k??蓽y量樣品上區域的樣品參數以及樣品表面的均一性分布。 ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領域的技術和產品設計方面的經驗,性能。 特點: 大面積絨面樣品上全表面測量 可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點的性質進行分析和比較。的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。 微米量級的積掃描精度 的系統設計,能夠使探頭到達樣品上每個點,掃描精度達到微米量級。 原子層量級的膜厚分析精度 采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術,對納米薄膜達到高的測量準確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。 簡單方便安全的儀器操作 用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。 應用: ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽電池研發和質量控制。 ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k; ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數k; ETSys-Map-PV可應用于: 大面積薄膜太陽電池基底的材料測量 薄膜太陽電池玻璃基底上透明導電氧化物(TCO)鍍膜測量 技術指標: 項目 技術指標

徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務多種型號圖片


型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀 型號:JX200087ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀 型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統

【溫馨提示】
本公司產品因產品種類繁多,詳細配置價格請致電咨詢!
[河北德科機械科技有限公司]——是集科研、開發、制造、經營于一體,的工程試驗儀器專業制造實體。公司主要經營砼混凝土儀器,水泥試驗儀器,砂漿試驗儀器,泥漿試驗儀器,土工試驗儀器,瀝青試驗儀器,公路集料儀器,防水材料儀器,公路巖石儀器,路面試驗儀器,壓力試驗機養護室儀器及實驗室耗材等上百種產品。 在以雄厚的技術底蘊在強化開發的同時,積采用外技術標準,尋求推進與大專院校,科研單位的協作互補,以實現新產品開發的高起點,在交通部、建設部及科研所們的指導下,產品不斷完善,不斷更新。已廣泛用于建材,建筑施工,道橋建設,水電工程和機械,交通、石油、化工等領域的質量檢測。并同外各試驗儀器廠建立了長期合作關系,嚴把質量關,價格更優惠! 公司擁有現代化鋼構倉庫4000多平方米,并配備業內的裝備設施,車輛出入方便,倉庫管理實現標準化、化管理,確保儀器設備不斷貨。 眾多眾多知名試驗儀器及測量、測繪電子廠家直供,外一線知名儀器品牌匯聚于此,更是眾多新品上線網購平臺的之地。服務隊伍專業快捷服務,完善的呼叫中心服務體系,:[牛經理]迅速解決客戶問題,專業提供優質的售后服務。 潤聯為您提供詳細的產品價格、產品圖片等產品介紹信息,您可以直接聯系廠家獲取產品的具體資料,聯系時請說明是在潤聯看到的,并告知型號
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我們本著精益求精、經銷誠實守信、服務熱情周到的服務宗旨和協助伙伴成就事業從而成就自己的事業的立業精神,為客戶提供的品質和服務。因產品種類多 沒有一一上傳,如有需要,請聯系我們。
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徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務


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徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務多種型號內容


型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀

EM12是采用量拓科技的測量技術,針對中端精度需求的研發和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀
EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的厚度測量。
EM12采用了量拓科技多項。
特點:
次納米量級的高靈敏度
的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在1.6秒內快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
EM12適合于中端精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。
EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
EM12可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等??蓱玫膲K狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。

技術指標:

項目
技術指標
儀器型號
EM12
激光波長
632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性(1)
0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性(1)
2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間
與測量設置相關,典型1.6s
的膜層范圍
透明薄膜可達4000nm
吸收薄膜則與材料性質相關
光學結構
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度)
激光光束直徑
1-2mm
入射角度
40°-90°可手動調節,步進5°
樣品方位調整
Z軸高度調節:±6.5mm
二維俯仰調節:±4°
樣品對準:光學自準直和顯微對準系統
樣品臺尺寸
平面樣品直徑可達Φ170mm
外形尺寸
887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量(凈重)
25Kg
配件
水平XY軸調節平移臺
真空吸附
軟件
ETEM軟件:
l 中英文界面可選;
l 多個預設項目供快捷操作使用;
l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合;
l 方便的數據顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數據庫支持
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。

性能保證:

  • 穩定性的He-Ne激光光源、的采樣方法,保證了高穩定性和高準確度
  • 光學自準直系統,保證了快速、的樣品方位對準
  • 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合的采樣技術,保證了快速、穩定測量
  • 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量
  • 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間
  • 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用
  • 可選配件
    NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
    NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
    VP01真空吸附
    VP02真空吸附
    樣品池

欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200098.html
EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
型號:JX200087ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀

ES01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的全自動光譜橢偏儀,系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見到紅外。

ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。

ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。

特點:

  • 原子層量級的檢測靈敏度

    的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
  • 秒級的快速測量

    快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。
  • 一鍵式儀器操作

    對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的操作需求。

應用:

ES01系列尤其適合于科研和工業產品環境中的新品研發。

ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如:

  • ES01V適合于測量電介質材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
  • ES01U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。

ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應用如:

  • 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二管GaN和AlGaN、透明的電子器件等);
  • 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
  • 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
  • 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:

  • 玻璃新品研發和質量控制等。

技術指標:

項目
技術指標
光譜范圍
ES01V:370-1000nm
ES01U:245-1000nm
光譜分辨率
1.5nm
單次測量時間
典型10s,取決于測量模式
準確度
δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
(透射模式測空氣時)
膜厚測量重復性(1)
0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率精度(1)
1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
入射角度
40°-90°自動調節,重復性0.02°
光學結構
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度)
樣品臺尺寸
可放置樣品尺寸:直徑170 mm
樣品方位調整
高度調節范圍:0-10mm
二維俯仰調節:±4°
樣品對準
光學自準直顯微和望遠對準系統
軟件
•多語言界面切換
•預設項目供快捷操作使用
•安全的權限管理模式(管理員、操作員)
•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫
•豐富的模型數據庫
配件
自動掃描樣品臺
聚焦透鏡

注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。

可選配件

  • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
  • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
  • VP01真空吸附
  • VP02真空吸附
  • 樣品池


欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200087.html
ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀
型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統

ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在薄膜測量系統。
ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進行在檢測??蓽y量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k??蓽y量樣品上區域的樣品參數以及樣品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領域的技術和產品設計方面的經驗,性能。
特點:
大面積絨面樣品上全表面測量
可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點的性質進行分析和比較。的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量級的積掃描精度
的系統設計,能夠使探頭到達樣品上每個點,掃描精度達到微米量級。
原子層量級的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術,對納米薄膜達到高的測量準確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽電池研發和質量控制。
ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可應用于:
大面積薄膜太陽電池基底的材料測量
薄膜太陽電池玻璃基底上透明導電氧化物(TCO)鍍膜測量

技術指標:

項目
技術指標
系統型號
ETSys-Map-PV
結構類型
激光波長
632.8nm (He-Ne laser)
膜厚測量重復性(1)
0.05nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n精度(1)
5x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
結構
PSCA
激光光束直徑
~1 mm
入射角度
60°-75°可選
樣品放置
放置方式:水平
運動:X軸單方向運動
運動范圍:>1.4m
三維平移調節
二維俯仰調節
可對樣品進行掃描測量
樣品臺尺寸
1.4m*1.1m,并可定制。
測量速度
典型0.6s-4s /點(取決于樣品種類及測量設置)
的膜層厚度測量范圍
光滑平面樣品:透明薄膜可達4000nm,吸收薄膜與材料性質相關
配件
樣品監視系統
自動樣品上片系統
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證
高穩定性的He-Ne激光光源、的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了系統的高穩定性和高準確度
穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合的采樣技術,保證了快速、穩定測量
一體化集成式的結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用
可選配件
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片

欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200092.html
ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統


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EM12-PV 精致型多入射角激光橢偏儀(光伏專用) EM12 精致型多入射角激光橢偏儀 EX3自動橢圓偏振測厚儀 ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀 ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統 ESS01波長掃描式自動變角度光譜橢偏儀
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