surpass大口徑等離子刻蝕

成都漢普升科技有限公司，成立于2015年11月16日，致力于電真空、核級裝備、人工晶體材料及薄膜制備設備的技術提升，在服務領域深耕細作，具有較深的技術沉積。
公司成立以來，秉承“超越極限，邁向卓越”的核心價值觀，在自己所擅長領域為客戶提供優良的產品和技術解決方案，公司注重產品和運營模式創新，我們堅信：唯有創新方能給用戶增值，公司已與多家科研院所、高等院校及企事業單位進行橫向合作，形成了科研級、工業級、軍品級產品體系，已為客戶設計制造了多套專用設備和儀器，獲得了用戶廣泛贊譽。

●本設備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態化學刻蝕劑與材料產生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發性副產品，通過真空系統排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。

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