TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測試儀通過全局總線進(jìn)行控制，可以有效提高儀器控制速度及安全水平。設(shè)備采用孔浮地技術(shù)，可有效地降低電荷泄露造成的驅(qū)動能力弱及電壓泄露隱患。高壓部分與低壓部分通過浮地結(jié)構(gòu)隔離，并在低壓部分配置有高壓放電管及附屬設(shè)施，從而避免因高壓泄露造成的損害。

北京中芯云科儀器有限公司是一家主要是從事儀器設(shè)備，我們同中國科學(xué)院，北京科技大學(xué)，清華大學(xué)，上海交通大學(xué)，北京航空航天大學(xué)等建立了合作和研究中心，目前我們主要在安全控制設(shè)備，計量檢測設(shè)備，科學(xué)材料研究設(shè)備，3D打印及空間技術(shù)的研發(fā)和銷售，我們將同國內(nèi)的科研機(jī)構(gòu)和高等院校進(jìn)行廣泛的合作，服務(wù)于國內(nèi)和國外廣大客戶，我們將提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，優(yōu)質(zhì)服務(wù)，共同開拓進(jìn)取。

TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測試儀

關(guān)鍵詞：電滯回線，疲勞，脈沖，漏電流，

TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測試儀通過全局總線進(jìn)行控制，可以有效提高儀器控制速度及安全水平。設(shè)備采用孔浮地技術(shù)，可有效地降低電荷泄露造成的驅(qū)動能力弱及電壓泄露隱患。高壓部分與低壓部分通過浮地結(jié)構(gòu)隔離，并在低壓部分配置有高壓放電管及附屬設(shè)施，從而避免因高壓泄露造成的損害。

本次研發(fā)采用DDS數(shù)字脈沖輸出技術(shù)，可以在技術(shù)指標(biāo)范圍內(nèi)實現(xiàn)正弦波，三角波，鋸齒波及方波脈沖的輸出。經(jīng)過高精度運放對相關(guān)信號進(jìn)行放大和輸出。通過自研的升壓裝置輸出相應(yīng)的測試脈沖。由于選用器件具有更好的高頻響應(yīng)特性，可以保證在整個測量范圍內(nèi)的線性輸出，保證高精度的測量結(jié)果。

一、產(chǎn)品介紹：

TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測試儀是適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測量，可測量鐵電薄膜電滯回線、可精確地測出具有非對稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。

TDZT-04C 鐵電材料參數(shù)測試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

1.輸出信號電壓： 0～±2000V（特殊電壓可以定制）高精度24位的模數(shù)轉(zhuǎn)換器；內(nèi)部同步時鐘的響應(yīng)速度10us

2、測量頻率：0.03Hz~3kHz；

電荷測量解析度范圍: 20fC~200uC

3. .記憶特性測試參數(shù)：

自帶內(nèi)部存儲曲線預(yù)設(shè)存儲器

多種脈沖系列測試鐵電體記憶特性

4. 可進(jìn)行漏電流-偏置電壓測試和漏電流-時間測試

5.電容范圍：1000nf～ 100nf, 精度: ≤1%。

6.電流范圍: 1nA～10A ,精度: ≤1%。

7、測試樣品：0-20mm  5個

8、高壓樣品池：2個，一個封閉式：8CM*6CM 一個開放式：8CM*5CM

9、三維移動薄膜測試平臺：直立式探針一套，角度式探針一套

10、電流：1-10倍放大，信號：1-20倍。.數(shù)據(jù)結(jié)口：USB或BNC接口。

11.記憶特性測試參數(shù)：自帶內(nèi)部存儲曲線預(yù)設(shè)存儲器

多種脈沖系列測試鐵電體記憶特性

12.漏電流測試：可進(jìn)行漏電流-偏置電壓測試和漏電流-時間測試

13．疲勞測試:大疲勞測量頻率: 20kHz

14、輸入及輸出接口：高品質(zhì)耐壓輸出端子，端口具備超壓放電功能

具備RS485數(shù)據(jù)輸出接口，并預(yù)留網(wǎng)絡(luò)接口

15. 數(shù)據(jù)采集分析軟件： 能畫出鐵電薄膜的電滯回線，定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑場Ec、漏電流等參數(shù);可以進(jìn)行鐵電薄膜材料的鐵電疲勞性能、鐵電保持性能的測試，電阻測量，漏電流測量。

16.可以配合ZJ-3和ZJ-6型壓電測試儀操作系統(tǒng)

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