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場效應管測試儀 MOS管測試儀 型號：DP29256

一、DP29256 場效應管測試儀 MOS管測試儀概述  
 場效應管測試儀 MOS管測試儀是全數(shù)字顯示式功率場效應管參數(shù)測試裝置，可用于標稱電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導功率場效應管主要參數(shù)的測試。它可以測量擊穿電壓 VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導Gfs，是跨導Gfs的測試電流可以達到50A，由于采用脈沖電流測試法，即使在大電流測試時也不會對被測器件造成任何損壞，可以在大電流狀態(tài)下對場效 應管進行參數(shù)一致性的測試（配對）；儀器可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場效應管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導型 測試儀和P溝導型測試儀兩種。

二、二、場效應管測試儀 MOS管測試儀主要技術(shù)性能   
   1、擊穿電壓VDSS測量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。  
    2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
     3、柵極開啟電壓VGS（th） 測量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。
     4、Gfs跨導測試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。  
    5、Gfs跨導測試范圍：1—100 。

三、場效應管測試儀 MOS管測試儀主要測試功能  
    1、功率場效應管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導Gfs的測試。  
    2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導Gfs的測試。
     3、功率場效應管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試，可用于配對。
     4、對其它大電流和功率的場效應管及IGBT的測試：（見下面介紹）。
     5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。
     6、壓敏電阻電壓的測試等。
四、測試盒與測試線
     1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應管和IGBT。
     2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應管和IGBT。