公司近年來不斷地引進國內外先進的生產設備及制造工藝，研發新技術，增強技術優勢，改良產品設計，力求創造質量一流的產品。公司主導產品服務于半導體及光伏行業檢測.節能檢測.霧氣檢測等行業的工藝與設計；公司以“卓越的品質，真摯的服務、低廉的價格”為宗旨，為國內廣大用戶提供了周到的售前咨詢和售后服務，并與國內外多家儀器儀表制造廠商和國內科研機構建立了密切長期的合作伙伴關系。

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 www.ace-gem.com卓耐科技推出的ZNC-1C是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況.

使用范圍

用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

產品特點
u        測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅       片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
u        主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
u        適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ＞0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
u        全程監控動態測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
u        貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。 
u        專業定制樣品架zui大程度地滿足了原生多晶硅料生產企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
u        性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產品，極大程度地降低了企業的測試成本。

技術參數
測量范圍       硅晶體電阻率：0.005-50000Ω•cm
鍺單晶：       0.1-100Ω•cm
可測材料       硅半導體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導體材料
少子壽命       1μs-6000μs
可測硅料電阻率   ≥0.1Ω.cm
激光波長       1.07μm
貫穿深度       500μm
供電電源       ～220V 50Hz 功耗＜50W
推薦使用環境   溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%