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晶圓 HTR-4立式4寸快速退火爐

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  • 更新日期:2023-08-07 17:08
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HTR-4立式4寸快速退火爐

 

HTR-4立式4寸快速退火爐(芯片熱處理設備)廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產,和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中,通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能,技術指標高、工藝復雜、專用性強。

主要應用領域:

1.快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN)

2.離子注入/接觸退火;

3.金屬合金;

4.熱氧化處理;

5.化合物合金(砷化鎵、氮化物等);

6.多晶硅退火;

7.太陽能電池片退火;

8.高溫退火;

9.高溫擴散。

產品特點:

·         可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。

·         壓力控制系統創新設計:控制壓力,以滿足不同的工藝要求。

·         存儲熱處理工藝:方便工藝參數調取,提高實驗效率,數據可查詢。

·         快速控溫與高真空:高升溫速率可達150℃/s,真空度高可達到10-5Pa

·         程序設定與氣路擴展:可實現不同溫度段的控制,進行降溫段的自動轉接,并能夠對工藝菜單進行保存,方便調用。采用MFC控制氣體流量,實現不同氣氛環境(真空、氮氣等)下的熱處理。

·         獨特的腔體空間設計:保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%

·         全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現自動控制。

·         超高安全系數:采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施,全方位保障設備使用安全。

·        

·         主要技術參數:

大樣品尺寸

4英寸(直徑100mm)

控溫范圍

RT~1200

升溫速率(max)

150/s

高溫段降溫速率(max)

1200/min

控溫精度

±0.5

溫場均勻性

≤1% 

氣體流量

標配1路MFC控制(氮氣)可擴展至4路

壓力控制

~1bar,±100Pa

工藝條件

支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛,一鍵設置通過軟件控制真空及通氣時間

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