澳大利亞科學家研制出一種由氧化鉬晶體制成的二維納米材料，有可能給電子工業帶來革命，使“納米”一詞不再停留于營銷概念而成為現實。

    在材料學中，厚度為納米量級的晶體薄膜通常被視作二維的，即只有長寬，厚度可忽略不計，稱為二維納米材料。新研制出的這種材料厚度僅有11納米，它有著獨特的性質，電子在其內部能以高速度運動。

    科學家說，他們是從另一種奇妙的新材料——石墨烯得到啟發的。石墨烯是單層碳原子網，是人類已知的薄材料，電子在其中也能高速運動。但石墨烯缺乏能隙，用它制造的晶體管無法實現電流開關。氧化鉬材料本身擁有能隙，將它制成類似石墨烯的薄片后，既支持電子高速運動，其半導體特性又適合制造晶體管。

    科學家說，在新材料內部，電子少因為遇到“路障”而散射，可以流暢地迅速運動。利用這種新材料可研制出更小、數據傳輸速度更快的電子元件和產品，例如性能與臺式電腦相當的平板電腦。

    電子產品的性能取決于半導體集成能力，在過去幾十年里，技術進步使晶體管體積大大縮小，硅芯片性能提高了成千上萬倍，帶來了信息技術革命。但受限于硅材料本身的性質，傳統半導體技術已經趨近限。科學家正在積尋找新一代半導體核心材料。

    研究小組已經用新材料制造出納米尺度的晶體管。他們預計，如果被電子工業所接受，氧化鉬有可能在5到7年內成為電子產品的標準材料。

    這項研究主要是由澳大利亞聯邦科學與工業研究組織和墨爾本理工大學的科學家合作完成的，相關論文發表在4日的《材料》雜志上。