導電微晶靜電場描繪儀/ 型號:DPGVZ-4
一.知識準備
1． 關鍵詞：模擬法，靜電場，穩恒電流場，等位線，電力線；
2． 用模擬法測繪靜電場分布的原理；
3． 高斯定律。
二．實驗目的
1、學習用模擬方法來測繪具有相同數學形式的物理場；
2、描繪出分布曲線及場量的分布特點；
3、加深對各物理場概念的理解；
4、初步學會用模擬法測量和研究二維靜電場。
主要參數：
1. DPGVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場）。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓印有坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電距離為8cm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓，調節細度可達0.01V。
