上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法，一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構，采用具有熱收縮功能的氟塑料套管，套接在鉑熱電阻的本體上，套管的二端用硅膠密封。...

上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法，一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構，采用具有熱收縮功能的氟塑料套管，套接在鉑熱電阻的本體上，套管的二端用硅膠密封。所述的電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構成型工藝，將所述套管套接在鉑熱電阻的本體上，先將套管二端填充硅膠后，進行加熱成型，使套管緊固在鉑熱電阻的本體上。

  上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法，一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構，采用具有熱收縮功能的氟塑料套管，套接在鉑熱電阻的本體上，套管的二端用硅膠密封。的詳細介紹

  上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法，一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構，采用具有熱收縮功能的氟塑料套管，套接在鉑熱電阻的本體上，套管的二端用硅膠密封。概述：

  上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻

◆測量范圍：00~200℃

  ◆分度號：Pt100*2

  ◆精度等級： A級

  ◆保護管直徑：Φ3.2mm（特殊外徑請注明）

  ◆保護管材質：316,其它材質請注明

  ◆熱電阻接線：三線制接線

  ◆熱響應時間：T0.5≤15S(在溫度出現階躍變化時，熱電阻的輸出變化至相當于該變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用T0.5表示)。

  ◆熱電阻最小置入深度：7.6mm

  ◆熱電阻自熱影響：通過熱電阻中測量電流5mA時，測得的電阻增量換算成溫度值應不大于0.30℃。

  ◆熱電阻絕緣電阻：常溫絕緣電阻的試驗電壓可取直流10～100V任意值，常溫絕緣電阻值應不小于50MΩ。

  上海虹德WZPY2-E32-60雙支埋入式鉑熱電阻的外層結構及其工藝方法，一種電機用埋置式鉑熱電阻的外層結構，采用具有熱收縮功能的氟塑料套管，套接在鉑熱電阻的本體上，套管的二端用硅膠密封。是專為測量電機定子槽溫度而設計的，產品外形為圓柱狀、直徑3.2mm，雙支鉑電阻傳感器，使用方便，測溫準確、可靠，根據用戶需要引出線為二線制，三線制均可生產，引出線長度由用戶自定。

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本發明的優越性在于：所述絕緣套管緊固在鉑熱電阻本體上，不但滿足了耐高溫、高壓、絕緣的特性，而且，產品平整美觀，本體不會發生扭曲。

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