磁阻效應實驗儀 型號；HAD-FD-MR-II磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、器械、探礦等領域應...

磁阻效應實驗儀     型號；HAD-FD-MR-II

磁阻器件由于靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、器械、探礦等領域應用，如：數字式羅盤、交通車輛檢測，導航系統、偽鈔檢測、位置測量等。其中典型的銻化銦（ InSb）傳感器是一種價格低廉、靈敏度高的磁電阻，有著重要的應用價值。

　　本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：利用砷化鎵（ GaAs）霍耳傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律，具有研究性和性實驗的特點。

　　該儀器可用于理工科大學的基礎物理實驗和性綜合物理實驗，也可用于演示實驗。

　　應用本實驗儀可以完成以下實驗：

　　1．用于測定通過電磁鐵的電流和磁鐵間隙中磁感應強度的關系，觀測砷化鎵（GaAs）霍耳元件的霍耳效應。

　　2．用于測定銻化銦（InSb）磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關系。

　　3．研究銻化銦（InSb）磁阻元件在不同磁感應強度區域的電阻值變化與磁感應強度的關系，進行曲線擬合，求出磁阻元件電阻與磁感應強度關系的經驗公式。

　　4．外接信號發生器，深入研究磁電阻的交流特性（倍頻效應），觀測其的物理現象（選做）。

　　儀器主要參數：

　　1.雙路直流電源

　　　電流范圍 0－500ｍA 連續可調，數字電流表顯示大小。

　　　電流范圍 0－3ｍA 連續可調，供傳感器的工作電流。

　　2.數字式毫特計

　　　測量范圍 0－0.5T，分辨率0.0001T，率為1%。

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