GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能，該系統可以完全實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。該系統廣泛應用于高等院校和科研院所，是科研的重要設備。...

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）

關鍵詞：四探針，電阻，方阻

GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能，該系統可以完全實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。該系統廣泛應用于高等院校和科研院所，是科研的重要設備。

二、符合：

1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、

2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》

3、符合美國 A.S.T.M 標準

二、產品應用：

1、測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；

2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻

3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻

4、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻

5、電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量

6、可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻

三、主要技術參數

溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測量方法：四線電阻法，探針法
測試通道：單通道或是雙通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電材料：鉑銥合金電（耐高溫，抗氧化）
緣材料：99氧化鋁陶瓷
數據存儲格式：自動分析數據，可以分類保存，樣品和測量方案結合在一起，生成系統所需的實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件

數據傳輸：USB
符合標準：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；

工作濕度：+40 ℃ 時，相對濕度高達 95%（無冷凝）
設備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg

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